Národní úložiště šedé literatury Nalezeno 4 záznamů.  Hledání trvalo 0.01 vteřin. 
Vacuum level by very low energy electron reflectivity vacuum level by very low energy electron reflectivity
Pokorná, Zuzana ; Frank, Luděk
The local density of states is an important characteristic of solids, in particular the crystalline ones. A scanning electron microscope equipped by the cathode lens can effectively map the reflectivity of very low energy electrons with a high lateral resolution.
Mapping the local density of states above vacuum level by very low energy electron reflectivity
Pokorná, Zuzana ; Frank, Luděk
The local density of states is an important characteristic of solids, crystalline matters in particular. What used to be a pure theoreticians’ toy is nowadays an experimentally accessible characteristic, e.g. by means of photoemission or scanning tunneling spectroscopy. Local density of states can reflect e.g. the local dopant concentration in semiconductors or discern between different crystal orientations, as each crystal face has a specific density of states. One way of probing the local density of states is to measure the reflectivity of very low energy electrons (units to tens of eV) from the sample surface. The reflectivity is principally inversely proportional to the local density of electronic states coupled to the impinging electron wave.
Metody přímého zobrazování hustoty stavů pomocí elektronů
Pokorná, Zuzana ; Frank, Luděk
Tato práce zkoumá možnosti metody SLEEM pro přímé mapování lokální hustoty elektronových stavů. Hlavními problémy jsou nezanedbatelná úhlová apertura dopadajícího elektronového svazku a změna úhlu dopadu při rastrování po povrchu vzorku. Tyto podmínky vyžadují, aby byl model tvorby obrazového kontrastu přehodnocen.
Zobrazení lokální hustoty stavů pomocí odrazu velmi pomalých elektronů
Pokorná, Zuzana
Cílem práce je provedení série experimentů v ultravysokovakuovém elektronovém mikroskopu, demonstrujících nepřímou úměrnost mezi odrazivostí velmi pomalých elektronů a lokální hustotou elektronových stavů navázaných na dopadající vlnu, a kvantitativní popis zobrazení dopované oblasti povrchové vrstvy polovodiče.

Chcete být upozorněni, pokud se objeví nové záznamy odpovídající tomuto dotazu?
Přihlásit se k odběru RSS.